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业内曝三星 3nm GAA 存在漏电等关键技术问题,难与台积电匹敌

        【每日科技网】
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  据业内人士透露,三星电子的3nmGAA工艺仍面临漏电等关键技术问题。消息人士表示,该工艺在性能和成本上可能不如台积电的3nmFinFET工艺。

  据《电子时报》报道,上述人士表示,三星最早可能在2022年量产3nmGAA工艺,但由于成本高、性能不理想,可能无法吸引台积电3nmFinFET工艺获得的客户,据说后者已经获得了苹果和英特尔的订单。

  台积电有望在2022年下半年将其3nmFinFET推向量产,CEO魏哲家在最近的财务报告会议上说,N3将是我们N5的另一个全面扩展,并将采用FinFET晶体管结构,为客户提供的技术成熟度、性能和成本。

  三星在失去苹果iPhone处理器订单后,在芯片竞争中落后于台积电。据市场观察人士透露,从苹果拿回订单将是韩国供应商赢得3nm竞争的关键。

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